Hyppää pääsisältöön
Tutkimus

Tampereen yliopisto, SemiQon ja suomalais-taiwanilainen konsortio saivat 3,1 miljoonan euron SHIFT-hankkeen vähävirtaisten muistien skaalaamiseen dataintensiiviseen laskentaan 

Julkaistu 28.10.2026
Tampereen yliopisto
CMOS and beyond: Devices and Systems Research
Kuva: Karu Films
Kansainväliselle tutkimus- ja teollisuuskonsortiolle on myönnetty 3,1 miljoonan euron rahoitus SHIFT-hankkeeseen (Scalable Hafnium-based Integrated Ferroelectric Technology for Data-Intensive Computing). Hanke vastaa datakeskusten tehonkulutuskriisiin sekä tekoälyn, suurteholaskennan ja kvanttijärjestelmien jyrkästi kasvavaan energiantarpeeseen. Eureka Globalstars -hakuun vastanneen hankkeen tavoitteena on skaalata ferrosähköistä FeRAM-muistiteknologiaa ja kehittää seuraavan sukupolven laitteistoja, jotka voivat merkittävästi vähentää dataintensiivisen laskennan ja reunalaitteiden globaalia energiankulutusta. 

 

Suomalainen konsortio yhdistää ihanteellisella tavalla akateemisen tutkimuksen, pk-yrityssektorin sekä puolijohdealan markkinajohtajan. Tämä mahdollistaa nopean kehityskaaren erinomaisista ideoista kohti integroituja ratkaisuja ja valmiita kaupallisia tuotteita. Taiwanilaiset kumppanit tuovat lisäksi mukanaan suuren volyymin valmistus- ja paketointiosaamista, mikä on ratkaisevan tärkeää skaalaus- ja valmistushaasteiden selättämisessä lyhyessä ajassa.

Sayani Majumdar, apulaisprofessori, Tampereen yliopisto

Haasteena ”muistimuuri” ja datakeskusten energiakriisi 

Nykyaikainen tietotekniikka tukeutuu vahvasti sulautettuun Flash-muistiin (eFlash), jolla kriittistä dataa tallennetaan suoraan mikrosiruille. Perinteinen eFlash kohtaa kuitenkin vakavia fyysisiä skaalautuvuusrajoja edistyneissä valmistusprosesseissa 28 nanometrissä ja sitä pienemmissä kokoluokissa. Lupaavat vaihtoehdot, kuten magneettinen RAM (MRAM), faasimuutosmuisti (PCM) ja resistiivinen oksidi-RAM (OxRAM), vaativat toimiakseen yli 100 mikroampeerin ohjausvirran muistielementtiä kohden. Suuri virta tuottaa liikaa lämpöä, heikentää luotettavuutta ja vaatii lisää jäähdytystehoa, mikä vaikeuttaa sirujen suunnittelua ja valmistusta. 

– Tekoäly ja IoT-laitteet perustuvat valtavaan tiedonsiirtoon joko prosessorin ja muistin välillä tai anturisolmuista prosessointiyksiköihin. Tämä on suuren energiankulutuksen pääsyy, Tampereen yliopiston apulaisprofessori Sayani Majumdar taustoittaa.

– Tutkijoiden kehittämä ratkaisu perustuu datan tallentamiseen ja laskentaan samalla fyysisellä komponentilla, jolloin tiedonsiirto minimoituu. Ferrosähköinen hajasaantimuisti on erinomainen ratkaisu: se pystyy tallentamaan dataa ilman virtaa ja mahdollistaa muistin sisäisen laskennan, mikä tuo valtavan energiaedun tekoälylle ja IoT:lle.

Ratkaisu: Vastuullinen, lyijytön FeRAM-teknologia 

SHIFT-hanke ratkaisee nämä skaalautuvuus- ja energiahaasteet hyödyntämällä ferrosähköistä hajasaantimuistia (FeRAM). Haihtumattomana muistiteknologiana FeRAM toimii matalammalla jännitteellä ja säilyttää tallennetun tiedon myös virran ollessa katkaistuna. Se tarjoaa huomattavia etuja perinteisiin Flash- ja EEPROM-vaihtoehtoihin verrattuna: kirjoitusnopeudet ovat kymmenien nanosekuntien luokkaa, luku- ja kirjoituskestävyys yltää biljooniin kytkentäsykleihin, ja tehonkulutus pienenee merkittävästi erittäin pienten toimintavirtojen ansiosta. Toiminnallisen tehokkuuden lisäksi materiaalin koostumus ratkaisee kriittisen mikroelektroniikan ympäristöongelman. 

– Elinkaarensa päähän tulleet elektroniikkalaitteet päätyvät yleensä kaatopaikoille, joista myrkylliset aineet leviävät maaperään, veteen ja ilmaan, Majumdar huomauttaa.

– Aidosti kestävän elektroniikan on poistettava haitalliset kemikaalit tinkimättä suorituskyvystä tai kustannustehokkuudesta. Ferrosähköiset hafniumpohjaiset järjestelmät täyttävät nämä vaatimukset ja ovat jo yhteensopivia standardien kaupallisten piivalimolinjastojen kanssa nopeaa skaalaamista varten.

Keskeiset tekniset tavoitteet 

Kaupallisen valmiuden osoittamiseksi SHIFT-konsortio tavoittelee laajoja teknisiä päämääriä kahden keskeisen kehitysvaiheen kautta:  

  • 256 kilobitin FeRAM-prototyyppi: HfZrOx-prosesseihin pohjautuvan 256 kilobitin FeRAM-matriisiprototyypin valmistus ja validointi sisältäen kaupallisen paketoinnin ja testauksen. 

  • Kryogeenisen muistin integrointi: Erittäin vähävirtaisten ja suorituskykyisten kryogeenisten muistien demonstrointi integroimalla kryo-optimoitu FeRAM-rakenne suoraan kryo-CMOS-logiikkapiireihin.

Kvantti- ja kryoelektroniikka tarvitsevat vähävirtaista, kryo-optimoitua muistiteknologiaa, joka vähentää huoneenlämmön ja matalien lämpötilojen välistä tiedonsiirtotarvetta samalla tavoin kuin reunalaskenta vähentää tiedonsiirtoa päätelaitteiden ja keskitetyn pilvi-infrastruktuurin välillä. Tämä mahdollistaa matalamman viiveen, paremman energiatehokkuuden ja paremmin skaalautuvat kvanttilaskentajärjestelmät.

Mika Prunnila, tutkimusjohtaja, SemiQon

Strateginen kumppanuus Suomen ja Taiwanin välillä 

Seuraavan sukupolven muistilaitteistojen tuominen markkinoille vaatii tieteellisen perustutkimuksen ja suuren volyymin teollisen valmistuksen yhdistämistä. SHIFT-konsortio kokoaa yhteen erityisosaamista puolijohteiden globaalista arvoketjusta:  

  • Suomi: Tampereen yliopisto (TAU), Applied Materials ja SemiQon tuovat hankkeeseen asiantuntemusta atomikerroskasvatuksesta (ALD), ohutkalvo- ja nanolaitekehityksestä, teoreettisen fysiikan mallinnuksesta sekä kryogeenisista laitteistoista. 

  • Taiwan: Teollisuusteknologian tutkimusinstituutti ITRI (Industrial Technology Research Institute) ja Lyontek Inc. tuovat yhdessä suurten kaupallisten puolijohdevalmistajien kanssa osaamista laboratoriotutkimuksen teolliseen skaalaukseen (lab-to-fab), laitetestaukseen ja paketointiin. 

Yhdistämällä toisiaan täydentävän asiantuntemuksensa ensimmäistä kertaa konsortio pyrkii nopeuttamaan seuraavan sukupolven laskentateknologioiden kehitystä. 

Laajat ympäristö- ja teollisuusvaikutukset 

Käyttöenergian merkittävän vähentämisen ansiosta SHIFT tarjoaa selkeän polun datakeskusten ja reunalaitteiden hiilijalanjäljen pienentämiseen maailmanlaajuisesti. Samalla teknologia avaa uusia mahdollisuuksia erikoislaskennan ympäristöihin kvanttijärjestelmistä syvään avaruuteen.

Nykypäivän datakeskeisessä maailmassa muistilla on kriittinen rooli, joka ulottuu huomattavasti pelkkää tiedon tallentamista pidemmälle. Siitä on tullut ratkaiseva mahdollistaja kaikissa järjestelmissä aina tekoälystä verkottuneeseen älykkääseen infrastruktuuriin ja turvallisiin digitaalisiin palveluihin. Kryogeenisten muistien avulla voimme tuoda tiedonkäsittelyn ja ohjauksen suoraan kubittien viereen ja skaalata kvanttilaskentaa poistamalla tiedonsiirron huoneenlämmössä toimiviin prosessoreihin. Vastaavasti avaruudessa toimivat autonomiset järjestelmät hyötyvät merkittävästi paikallisesta tiedonkäsittelystä viestintänopeuden, suorituskyvyn ja itsenäisen päätöksenteon energiansäästön osalta.

Sayani Majumdar

Tietoa SemiQonista 

SemiQonin missiona on toteuttaa kvanttilaskennan lupaus tarjoamalla skaalautuvuutta tehokkaiden, kestävien ja kustannustehokkaiden piipohjaisten kvanttilaitteistojen avulla. Yhtiön teknologia rakentuu puolijohdeteollisuuden vuosikymmenten kehitystyölle ja osaamiselle, mikä tekee sen kryo-optimoidusta CMOS-elektroniikasta kaupallisesti kilpailukykyistä ja massatuotantoon soveltuvaa. SemiQonin maailman ensimmäinen kryo-optimoitu CMOS-teknologia tuo skaalautuvuutta ja energiatehokkuutta laajoihin sovelluksiin kvanttiteknologiassa, avaruudessa ja muilla aloilla. www.semiqon.com   

Hankkeen rahoitus 

SHIFT-hanketta rahoittavat suomalaisten kumppaneiden osalta Business Finland ja taiwanilaisten kumppaneiden osalta teollisuusteknologian osasto DoIT (Department of Industrial Technology).

CMOS and Beyond: Devices and Systems Research Group

Kirjoittaja: Sujatro Majumdar